IPP100N10S3-05 - Mosfet OptiMOS™ N 100V 100A, RdsOn 5,1 mOhm a 100A 10Vgs
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IPP100N10S3-05 - Mosfet OptiMOS™ N 100V 100A, RdsOn 5,1 mOhm a 100A 10Vgs
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Tipo FET | OptiMOS™ MOSFET canale N, metallo-ossido |
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Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
Corrente - Drain continuo (Id) | 100A |
Rds On (max) - Id, Vgs | 5,1 mOhm a 100A, 10V |
Vgs(th) (max) a Id | 4 V a 240µA |
Carica di gate (Qg) - Vgs | 176nC a 10V |
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds | 11570pF a 25V |
Potenza max | 300W |
Tipo di montaggio | Foro passante |
Contenitore / involucro | TO-220-3 |
Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
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