IPP100N10S3-05 - Mosfet OptiMOS™ N 100V 100A, RdsOn 5,1 mOhm a 100A 10Vgs

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Quantità
Disponibile

10.3510.0006
Tipo FET OptiMOS™ MOSFET canale N, metallo-ossido
Tensione drain-source (Vdss) 100V
Corrente - Drain continuo (Id) 100A
Rds On (max) - Id, Vgs 5,1 mOhm a 100A, 10V
Vgs(th) (max) a Id 4 V a 240µA
Carica di gate (Qg) - Vgs 176nC a 10V
Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds  11570pF a 25V
Potenza max 300W
Tipo di montaggio Foro passante
Contenitore / involucro TO-220-3
Contenitore dispositivo fornitore PG-TO220-3
n.d.
10.3510.0006
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