IPP100N10S3-05 - Mosfet OptiMOS™ N 100V 100A, RdsOn 5,1 mOhm a 100A 10Vgs
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10.3510.0006
| Tipo FET | OptiMOS™ MOSFET canale N, metallo-ossido |
|---|---|
| Tensione drain-source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Drain continuo (Id) | 100A |
| Rds On (max) - Id, Vgs | 5,1 mOhm a 100A, 10V |
| Vgs(th) (max) a Id | 4 V a 240µA |
| Carica di gate (Qg) - Vgs | 176nC a 10V |
| Capacità d'ingresso (Ciss) in Vds | 11570pF a 25V |
| Potenza max | 300W |
| Tipo di montaggio | Foro passante |
| Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Contenitore dispositivo fornitore | PG-TO220-3 |
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